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[단독] "삼성 D램 몰락에 책임"…반도체연구소 '문책성 인사' 초읽기
IT조선
0반도체연구소는 DS부문 최고기술관리자(CTO) 산하 R&D 조직으로 ▲공정개발실 ▲차세대연구실 ▲차세대공정개발실 ▲D램 테크놀로지디벨롭(TD)실 ▲플래시 TD실 등에 수천명의 임직원을 뒀다. 반도체 최초 개발부터 제품에 활용될 수 있는 연구를 병행한다. 연구소 자체 라인에서 연구개발을 진행하며 메모리사업부, 파운드리사업부로 디바이스 이관을 돕는다.
2024년 삼성전자 반기보고서에 따르면 반도체연구소에는 송재혁 CTO 겸 반도체연구소장(사장) ▲박제민 D램 TD실장 ▲안수진 차세대연구실장 ▲이종명 공정개발실장 ▲장재훈 플래시 TD실장 ▲현상진 차세대공정개발실장 등 39명의 임원진이 근무 중이다.
반도체연구소에 책임론이 불거지며 쇄신 인사가 거론되는 것은 실제 연구소의 R&D 성과가 미흡해 고대역폭메모리(HBM) 등 D램 사업에서 경쟁력을 잃었다는 내부 평가 때문이다.
대표적인 예로 경쟁사인 SK하이닉스는 10나노급 미세공정을 적용한 D램 개발과 양산에서 삼성전자보다 앞선 기술력을 선보이고 있다. 삼성전자는 해당 공정 개발과 양산에서 크게 뒤처지며 HBM 시장 주도권을 내줬다.
특히 6세대 HBM(HBM4)에 적용되는 10나노급 6세대(D1c) 공정에서 SK하이닉스는 개발을 마치고 양산을 위한 안정적인 수율을 확보했다. 반면 삼성전자는 반도체연구소가 D1c 공정 개발 단계부터 어려움을 겪으며 수율 역시 사실상 ‘0’에 가까운 수준 확보에 그친 것으로 알려졌다. 이로 인해 연구소로부터 공정을 이어받는 D램 개발 조직은 ‘제로 베이스’부터 수율 개선에 나서야 하는 열악한 환경에 놓였다는 지적이 조직 내부에서 제기된다.
다만 반도체연구소는 이번 인사 조치가 기정사실화 된 것에 반발하고 있다. 삼성전자 반도체 조직 전체의 책임을 연구소의 책임으로만 덧씌우는 그림이 억울한 측면이 있다는 해명이다.
DS부문 한 관계자는 “최선단 공정 수율 확보 등 반도체연구소의 R&D 역량을 두고 회사가 의구심을 지속 제기하고 있다”며 “연구소장을 비롯한 실장급 교체 등 인사 규모와 수위를 놓고 고심 중인 것으로 안다”고 말했다.
앞서 삼성전자는 올 5월 전영현 부회장을 반도체 사업을 총괄하는 DS부문장으로 위촉했다. 전 부회장은 최근 잠정실적 발표와 함께 이례적인 사과문을 발표했다. 업계에서는 삼성전자 DS부문 메모리·파운드리·시스템LSI 사업부·CTO 등 사장단이 대거 문책성 교체될 것이란 전망에 힘이 실리고 있다.
이광영 기자 gwang0e@chosunbiz.com