775 읽음
인텔 파운드리, IEDM서 미래 공정 위한 혁신 기술 선봬
아주경제
0
인텔 파운드리는 감극성 루테늄을 활용해 칩 내 상호 연결을 개선해 정전 용량을 최대 25% 까지 향상시킬 수 있는 신소재 기술을 선보였다. 또 최초로 초고속 칩 간 어셈블리 공정을 가능하게 하는 고급 패키징을 위한 이기종 통합 솔루션을 활용해 처리량(쓰루풋)을 100배 향상시켰다고 발표했다.
이와 함께 GAA(게이트 올 어라운드) 스케일링을 더욱 촉진하기 위해 실리콘 리본펫 금속 산화물 반도체와 스케일링된 2D 펫(FET)을 위한 게이트 산화물 모듈을 사용해 디바이스 성능을 개선하는 작업을 시연했다.
산제이 나타라잔 인텔 파운드리 기술 리서치 부문 총괄 수석 부사장은 "인텔 파운드리는 반도체 산업의 로드맵을 정의하고 구축하기위해 지속적으로 노력하고 있다"며 "최근의 혁신은 미국에서 개발된 최첨단 기술을 제공하고, 미국 칩스법의 지원과 함께 균형 잡힌 글로벌 공급망을 구축하고 미국 내 제조 및 기술 리더십을 회복하려는 인텔의 노력과 위치를 강조한다"고 밝혔다.
업계에서 오는 2030년까지 1조 개의 트랜지스터를 칩에 탑재하는 것을 목표로 하고 있는 가운데 트랜지스터 및 인터커넥트 확장의 획기적인 발전과 미래 첨단 패키징 기능은 인공지능(AI)과 같이 더 나은 전력 효율성과 고성능, 비용 효율성이 필요한 컴퓨팅 애플리케이션에 대한 폭증하는 요구를 충족시키는데 필수적이다.
인텔 파운드리는 미래 노드를 위한 상호 연결 확장을 위해 구리 트랜지스터의 예상되는 한계를 해결하고, 기존 어셈블리 기술을 개선하며, GAA 확장 및 그 이상을 위한 트랜지스터 로드맵을 지속적으로 정의하고 구체화하는 여러 대안을 제안했다.