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SK하이닉스 미국 HBM공장 착공, 2029년 양산
IT조선
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SK하이닉스는 2024년 4월 미국 인디애나주에 HBM 생산 및 패키징 시설을 구축하겠다는 투자 계획을 발표했다. 이후 약 2년4개월 만에 인허가 절차를 마치고 본격적인 공사에 들어갔다.
인디애나 공장에서는 7세대 HBM인 HBM4E가 생산될 전망이다. SK하이닉스는 현재 D램 12단을 쌓은 6세대 HBM4를 생산하고 있다. HBM4는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재된다.
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 기공식에서 “단순 공정 팹이 아닌 미국 최초의 HBM 생산 거점을 구축하는 것이다”라며 “메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자 미국 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것이다”라고 말했다.
SK하이닉스는 차세대 HBM 개발과 테스트 역량을 강화하기 위해 미국 퍼듀대학교와도 협력한다. 양측은 엔지니어링 분야를 중심으로 차세대 HBM 연구개발(R&D)을 강화하는 내용의 양해각서를 체결했다.
미국 정부도 SK하이닉스의 현지 생산시설 구축을 지원한다. SK하이닉스는 미국 반도체법(CHIPS Act)에 따라 최대 4억5000만달러(약 6300억원)의 보조금과 5억달러(약 7000억원) 규모의 대출 지원을 받는다.
이번 투자는 AI 반도체 공급망을 미국 내에 구축하려는 미국 정부의 정책 기조와도 맞물린다. SK하이닉스가 미국에서 HBM을 생산하면 엔비디아 등 현지 AI 반도체 기업과 공급망을 보다 가깝게 구축할 수 있어 현지 사업 경쟁력 강화에도 도움이 될 것으로 전망된다.
한편 이날 기공식에는 곽 사장을 비롯해 강경화 주미 한국대사, 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영 미국 연방 상원의원 등이 참석했다.
변상이 기자
difference@chosunbiz.com