中 CXMT, 차세대 D램 기술 진전…삼성·SK와 격차 좁히나 | 종합

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中 CXMT, 차세대 D램 기술 진전…삼성·SK와 격차 좁히나

알파경제

[알파경제 = (상하이) 이금수 특파원] 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술 개발에 진전을 이루며 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 서버용 메모리 시장에 도전장을 내밀었다.

12일(현지시간) 로이터통신에 따르면 차오칸위 CXMT 총재는 최근 행사에서 연말까지 차세대 D램 아키텍처인 '4F²'를 적용한 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM'을 출시할 계획이라고 밝혔다.

차오 총재는 CXMT가 자체 개발한 'VSG' 트랜지스터 기술을 통해 누설 전류 문제를 개선하고 메모리 집적도를 높일 수 있다고 설명했다. 또 4F² 아키텍처와 관련한 다수의 특허를 보유하고 있다고 강조했다.

4F²는 D램 셀의 크기를 나타내는 구조로, 기존 업계 주류인 6F²보다 메모리 셀을 작게 설계할 수 있어 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 것이 특징이다. 메모리 집적도를 높이면 반도체의 성능과 생산 효율을 개선하는 데 도움이 된다.

그동안 CXMT는 주로 가전제품용 메모리에 집중해왔으며, 서버용 메모리 시장은 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 주도해왔다. CXMT가 4F² 기반 서버용 제품 출시를 예고한 것은 고부가가치 메모리 시장으로 사업 영역을 확대하려는 움직임으로 풀이된다.

글로벌 메모리 업체들도 차세대 D램 구조 개발에 나서고 있다. 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 삼성전자와 SK하이닉스 역시 메모리 집적도를 높이기 위해 4F² 또는 유사한 기술을 연구하고 있다고 전했다. 다만 관련 기술은 아직 업계 전반에서 대규모 상용화 단계에 이르지 못한 것으로 알려졌다.

삼성전자는 10나노미터(㎚) 이하급 '10a' D램 공정에 4F² 구조를 적용하는 방안을 추진하고 있으며, 2028년 양산을 목표로 개발을 진행 중인 것으로 전해졌다.

CXMT는 최근 차세대 메모리 제품군을 확대하며 기술 경쟁력을 강화하고 있다. 지난 8월에는 차세대 모바일 D램인 LPDDR6의 양산을 공식화했으며, 지난달에는 5세대 D램 공정의 양산에 돌입했다고 밝혔다.

중국 정부의 반도체 자립 정책에 힘입어 성장해온 CXMT가 차세대 D램 기술을 앞세워 서버용 메모리 시장 진입에 성공할 경우, 글로벌 메모리 반도체 시장의 경쟁 구도에도 변화가 생길 수 있다는 전망이 나온다.